測試服務

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雙束聚焦離子束FIB

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雙束聚焦離子束FIB

  • 分類:測試服務
  • 發布時間:2022-05-18 15:18:55
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概要:
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詳情

  一、項目介紹:

 

  FIB主要通過創新的elstar電子槍與高電流UC +技術相結合,實現極高分辨率成像 最高的材料與卓越的Phoenix離子槍形成對比,即使在最具挑戰性的樣品上,也能實現最快,最簡單,最精確的高質量樣品制備和3D表征。勝科納米已投入使用全國首臺商業化服務Helios 5 UX FIB。Helios G5 UX是業界領先的第四代Helios DualBeam系列的一部分。具有以下主要特點:

 

  最快,最簡單的HR-TEM和APT樣品制備

  極高分辨率成像,具有最精確的對比度

  訪問最高分辨率,多尺度和多模態地下和3D信息

  快速,準確,精確刻蝕和沉積復雜結構,臨界尺寸小于10 nm

 

  二、設備技術參數

 

 

 

1

 

           E-Beam電子束分辨率

2kV時0.6nm

  1kV時為0.7nm

   0.5kV時1.0nm

               加速電壓350V-30keV

                     著陸電壓范圍20eV-30keV

                          電子束電流范圍0.8Pa-100nA

              I-Beam離子束分辨率

   30kV下4.0nm

    30kV下2.5nm

        電壓500V-30KV

          束流0.1pA-65nA

 

 

 

 

  三、應用領域

 

  先進制程TEM薄片制備:對于最新制程的FinFET工藝分析能力、平面TEM+截面TEM分析能力;

  定點截面3D切片分析:納米級別定位分析能力、3維重構;

  集成電路(IC)線路修改:高階制程芯片線路修改、測試Pad;

  復雜的納米級圖形制作:離子束直接刻蝕、電子束直接沉積;

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