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等離子聚焦離子束PFIB

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等離子聚焦離子束PFIB

  • 分類：測試服務
  • 發布時間：2022-05-18 15:38:29
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概要:PFIB使用Xe氙作為離子源，Xe源電流2500nA，在離子材料去除上有更高的速率。雙束PFIB配備SEM實時成像，用于1000微米以內大尺寸切片，芯片局部去層可配合NanoProbe。
概要:PFIB使用Xe氙作為離子源，Xe源電流2500nA，在離子材料去除上有更高的速率。雙束PFIB配備SEM實時成像，用于1000微米以內大尺寸切片，芯片局部去層可配合NanoProbe。
詳情

 

　　1、項目定義：

　　PFIB使用Xe氙作為離子源，Xe源電流2500nA，在離子材料去除上有更高的速率。雙束PFIB配備SEM實時成像，用于1000微米以內大尺寸切片，芯片局部去層可配合Nano Probe。

 

　　2、應用優勢：

　　由于其離子電流比Ga高38倍，適用于SEM定位大尺寸的切割，芯片熱點位置可進行定點去層，大尺寸樣品可以邊切邊觀察，便于分析測試，配合Nano Probe、CAFM、EBSD制備，可以解決客戶3D防撞TSV定點截面分析、MEMS結構無形截面分析、光芯片光路截面分析、失效孤品去層分析的需求。

 

 

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