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磁質譜儀D-SIMS

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磁質譜儀D-SIMS

  • 分類：測試服務
  • 發布時間：2022-05-18 16:49:27
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概要:
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詳情

　　1、項目介紹：

 

　　動態二次離子質譜技術（DSIMS）是一門廣泛應用于固體材料成分分析的表面分析技術。使用聚焦的具有一定能量和入射角度的一次離子束來轟擊測試樣品表面，通過收集和分析轟擊過程中產生的二次離子信號，這樣可以得到測試樣品的化學組成成分。這個轟擊過程可以很緩慢，從而其深度分辨率可以達到1-2nA。現階段DSIMS的定量分析需要通過測試標樣來完成，盡管如此其仍然是當前最靈敏的表面分析技術——不同的元素檢測極限可以達到ppm-ppb。

　　勝科納米采用Cameca IMS-7F auto ，是目前世界上最先進的DSIMS測試設備，由于其價格昂貴，業界能夠采購的公司很少。該設備真空系統和分析能力都得到了很大的提升（分析室真空值可達1E-10 torr，可以分析更復雜的樣品）。

 

　　2、應用優勢：

 

　　極低的檢測極限（ppm-ppb）

　　可以精確檢測H-U全部元素

　　元素濃度深度分布或者體相濃度

　　小區域分析（<30umx30um）

 

　　3、D-SIMS樣品要求

 

　　（1）材料種類

　　-Si材料（單晶、多晶、太陽能電池片）

　　-SiO2材料（SOI,TFT-LCD）

　　-SiC材料

　　-III-V化合物半導體材料(GaN, GaAs, InP, etc.)

　　（2）樣品形狀和尺寸

　　-塊狀樣品，最小尺寸3mm*3mm

　　-樣品測試面最好光滑平整（表面狀態會影響深度分辨率）

 

　　4、應用案例：

 

　　（1）Depth profile for Silicon

　　高的準確度和精度，能夠分辨出離子注入的細微差異。可應用于離子注入設備調試和工藝監控。

 

　　（2）Depth profile for Silicon

　　由于注入機的質量過濾器的質量分辨率低，如果注入機具有質量接近或相同于摻雜劑的污染物，則可能發生質量污染。

 

　　（3）Depth profile for Solar Cell

　　太陽能電池片中P摻雜監控，良好的測試重復性，能夠精確的反應雜質的擴散曲線。

 

　　（4）Depth profile for GaN LED

　　良好的深度分辨率。可應用于MQW調節以及Mg,Si等摻雜元素監控。低的檢測限有助于分析C,H,O等雜質元素。

 

　　（5）Depth profile for TFT-LCD

　　7F-auto能夠很好的應用于玻璃等絕緣材料的元素分析。H 濃度檢測。

 

　　（6）Depth profile for TFT-LCD

　　P 注入摻雜

　　Na K 玷污檢測（配合tof-sims）

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