失效分析
- 分類：解決方案
- 發布時間：2022-05-18 17:18:21
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概要:
詳情
失效分析（Failure Analysis，FA）主要指通過實驗分析手段確定元器件既有的失效現象的原因及失效機理，或判斷可能存在的失效情況。廣義的失效分析包括為探失效原因的檢測分析，以及檢查是否存在潛在失效問題、確保工藝穩定而實施的破壞性物理分析（Destructive Physical Analysis，DPA）究樣品。
FA分析（Failure Analysis）的目的是通過一連串之分析手段，診斷失效原因，確認失效機理，從而由改善制程避免相同問題再次發生，以滿足高質量要求。可以說FA分析是質量工程最重要的一步，沒有FA分析結果，就不知道制程從何處改善。
FA分析流程：可以分成三個步驟，分別是失效復現，缺陷定位，物性分析；這三個步驟 缺一不可，并且每個步驟環環相扣，任何一個步驟出錯，都將導致分析無功而返，不可不慎。
FA分析效益：FA是全流程的質量工程，從確認產品研發成果，明確可靠度問題，改進產品設計工藝， 提供進料質量保證，制程管控依據，客訴返回分析，消除早起危害，提高最終產品可靠 性都需要FA分析，確認改善方向。
FA失效模式
芯片的失效模式：金屬層殘留、金屬層空洞、污染物顆粒、金屬層跨橋、金屬形變、通孔殘留、通孔缺失、鈍化層缺失、離子注入偏失、氧化層穿孔、硅應力、晶格位錯
PCB失效模式：虛焊、污染、機械損傷、潮濕應力、裂紋、爆板、介質腐蝕、分層、空洞、疲勞損傷、CAF或離子遷移、應力過載
FA失效分析主要設備
•光學顯微鏡OpticalMicroscope • 開封De-cap • 切片Crosssection • HDPdryetcher • Ionmilling • 電性測試LCR • X光檢查X-rayInspection
• 超聲波檢查C—SAM • 阻抗TDR • 增強型熱點分析Thermalhotspot • 微光分析EMMI • OBIRCH • 原子力顯微鏡C-AFM • 掃描電鏡能譜SEM/EDX
• 雙聚焦離子束顯微鏡dualbeamFIB • 穿透式電鏡TEM • 電子色散能譜EDS • 電子能量散失能譜EELS • 俄歇電子能譜Auger • X-ray光電子能譜XPS
• 二次離子質譜SIMS • 電子背散射衍射EBSD
勝科納米一站式失效分析能力
勝科納米一站式分析制備能力
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